CSD19538Q3AT

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CSD19538Q3AT

EXSHINE 제품 모델:EX-CSD19538Q3AT
제조사 제품 모델:CSD19538Q3AT
제조사 / 상표:Texas Instruments
간단한 설명:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:무연 / RoHS 준수
조건:New and unused, Original
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CSD19538Q3AT
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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대) 3.8V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-VSONP (3x3.15)
연속 NexFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 59 mOhm @ 5A, 10V
전력 소비 (최대) 2.8W (Ta), 23W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
다른 이름들 296-44473-2
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 6 Weeks
제조업체 부품 번호 CSD19538Q3AT
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 454pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 4.3nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
확장 설명 N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V
기술 MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta)

기타

다른 이름들 296-44473-2
표준 포장 250

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