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NANO130SE3BN

EXSHINE 제품 모델:	EX-NANO130SE3BN
제조사 제품 모델:	NANO130SE3BN
제조사 / 상표:	Nuvoton Technology Corporation America
간단한 설명:	IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	무연 / RoHS 준수
조건:	New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:	Nano100 Series Brief
신청:	-
무게:	-
대체 교체:	-

의 실시간 가용성

NANO130SE3BN
재고: 60900 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

기술
지불
배송
포장

제품 매개 변수

전압 - 공급 (VCC / Vdd에)	1.8 V ~ 3.6 V
속도	42MHz
연속	NuMicro™ Nano130
RAM 크기	16K x 8
프로그램 메모리 유형	FLASH
프로그램 메모리 크기	128KB (128K x 8)
주변	Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, LCD, POR, PWM, WDT
포장	Tray
패키지 / 케이스	64-LQFP
발진기 유형	Internal
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)
I / O 수	47
수분 민감도 (MSL)	3 (168 Hours)
제조업체 표준 리드 타임	18 Weeks
제조업체 부품 번호	NANO130SE3BN
확장 설명	ARM® Cortex®-M0 NuMicro™ Nano130 Microcontroller IC 32-Bit 42MHz 128KB (128K x 8) FLASH
EEPROM 크기	-
기술	IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP
데이터 컨버터	A/D 7x12b, D/A 2x12b
코어 크기	32-Bit
코어 프로세서	ARM® Cortex®-M0
연결	I²C, SPI, UART/USART, USB

기타

표준 포장	250

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	DHL 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일.
	페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일.
	UPS Express 배달 시간 : 2-4 일.
	TNT 익스프레스 배달 시간 : 3-6 일.
	EMS 익스프레스 배달 시간 : 7-10 일.

Nuvoton Technology Corporation of America의 배급 자

- NVE는 자기 감응 재료와 집적 회로의 조합을 전문으로하는 전자 부품 제조업체입니다. 이 새로운 고체 자기 기술은 소형 및 저전력으로 결합 된 자기장에 대한 높은 민감도를 특징으로합니다. NVE는 이러한 기술을 자기 센서, 절연체 및 MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)에 적용했습니다. 이러한 구성 요소는 종종 기존 장치를 능가하여 감지 및 데이터 전송 응용 프로그램에 비용 효율적이고 성능이 향상된 솔루션을 제공합니다. NVE는 ISO 9001 인증을 받았습니다.
1989 년 하니웰 인터내셔널 (Honeywell International)의 기술을 기반으로 설립 된 이래로 NVE는 자기 적으로 민감한 재료 연구 분야에서 세계적으로 인정받는 업체가되었습니다. 1994 년 NVE는 GMR (Giant Magnetoresistive) 소재를 사용하여 세계 최초로 제품을 선보였습니다. 이 제품 라인 인 자기장 센서는 위치, 자기 매체, 휠 속도 및 전류 감지 애플리케이션에 사용됩니다.

마찬가지로 1999 년에 NVE는 통신, 산업 제어 및 컴퓨터 애플리케이션 용 고속 디지털 아이솔레이터의 IsoLoop® 제품 라인을 발표했습니다. 이 100 메가 보드 옵토 - 대체 아이솔레이터는 세계에서 가장 빠른 것입니다.

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