APT8M100B-Microsemi Corporation-APT8M100B 구매-EXSHINE TECHNOLOGY

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APT8M100B

EXSHINE 제품 모델:	EX-APT8M100B
제조사 제품 모델:	APT8M100B
제조사 / 상표:	Microsemi
간단한 설명:	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	무연 / RoHS 준수
조건:	New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:	APT8M100(B,S)Power Products Catalog
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APT8M100B
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미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

아이디 @ VGS (일) (최대)	5V @ 1mA
Vgs (최대)	±30V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TO-247 [B]
연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	1.8 Ohm @ 4A, 10V
전력 소비 (최대)	290W (Tc)
포장	Tube
패키지 / 케이스	TO-247-3
다른 이름들	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	22 Weeks
제조업체 부품 번호	APT8M100B
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1885pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	60nC @ 10V
FET 유형	N-Channel
FET 특징	-
확장 설명	N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	1000V (1kV)
기술	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	8A (Tc)

표준 포장	30
다른 이름들	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND

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