APT66M60B2-Microsemi Corporation-APT66M60B2 구매-EXSHINE TECHNOLOGY

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APT66M60B2

EXSHINE 제품 모델:	EX-APT66M60B2
제조사 제품 모델:	APT66M60B2
제조사 / 상표:	Microsemi
간단한 설명:	MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	무연 / RoHS 준수
조건:	New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:	Power Products Catalog APT66M60(B2,L)
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APT66M60B2
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미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

아이디 @ VGS (일) (최대)	5V @ 2.5mA
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	T-MAX™ [B2]
연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	100 mOhm @ 33A, 10V
전력 소비 (최대)	1135W (Tc)
포장	Tube
패키지 / 케이스	TO-247-3 Variant
다른 이름들	APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	22 Weeks
제조업체 부품 번호	APT66M60B2
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	13190pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	330nC @ 10V
FET 유형	N-Channel
FET 특징	-
확장 설명	N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
소스 전압에 드레인 (Vdss)	600V
기술	MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	70A (Tc)

표준 포장	30
다른 이름들	APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND

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