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TP0604N3-G

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TP0604N3-G
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미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

아이디 @ VGS (일) (최대)	2.4V @ 1mA
Vgs (최대)	±20V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TO-92-3
연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	2 Ohm @ 1A, 10V
전력 소비 (최대)	740mW (Ta)
포장	Bulk
패키지 / 케이스	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	3 Weeks
제조업체 부품 번호	TP0604N3-G
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	150pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	-
FET 유형	P-Channel
FET 특징	-
확장 설명	P-Channel 40V 430mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	40V
기술	MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	430mA (Tj)

표준 포장	1,000

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