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VT6M1T2CR
| EXSHINE 제품 모델: | EX-VT6M1T2CR |
|---|---|
| 제조사 제품 모델: | VT6M1T2CR |
| 제조사 / 상표: | LAPIS Semiconductor |
| 간단한 설명: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| 조건: | New and unused, Original |
| 데이터 시트 다운로드: | VT6M1 |
| 신청: | - |
| 무게: | - |
| 대체 교체: | - |
의 실시간 가용성
VT6M1T2CR
재고: 53367000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주
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제조업체 리드 타임 : 8-10 주
- 기술
- 지불
- 배송
- 포장
제품 매개 변수
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 100µA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지 | VMT6 |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 전력 - 최대 | 120mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 다른 이름들 | VT6M1T2CRTR |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 17 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | VT6M1T2CR |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 특징 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 확장 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA |
기타
| 다른 이름들 | VT6M1T2CRTR |
|---|---|
| 표준 포장 | 8,000 |
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T / T (은행 송금) 받기 : 1-4 일. |
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페이팔 수신 : 즉시. |
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웨스턴 유니언 받기 : 1-2 시간. |
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알리 페이 수신 : 즉시. |
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페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
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EMS 익스프레스 배달 시간 : 7-10 일. |
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Rohm Semiconductor의 배급 자
- 텔레 다인 르크로이 (Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 프로토콜 분석기 및 관련 테스트 및 측정 솔루션을 제공하는 선도적 인 공급 업체로 다양한 산업 분야의 기업들이 모든 유형의 전자 장치를 설계 및 테스트 할 수 있도록 지원합니다. 1964 년 창립 이래로 엔지니어는 설계 문제를보다 빠르고 효과적으로 해결할 수 있도록 도움으로써 생산성을 향상시키는 제품을 개발하는 데 주력해 왔습니다.