RQ5E070BNTCL

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RQ5E070BNTCL

EXSHINE 제품 모델:EX-RQ5E070BNTCL
제조사 제품 모델:RQ5E070BNTCL
제조사 / 상표:LAPIS Semiconductor
간단한 설명:NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부:무연 / RoHS 준수
조건:New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:RQ5E070BN
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RQ5E070BNTCL
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제조업체 리드 타임 : 8-10 주

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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 1mA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TSMT3
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 16.1 mOhm @ 7A, 10V
전력 소비 (최대) 1W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SC-96
다른 이름들 RQ5E070BNTCLTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks
제조업체 부품 번호 RQ5E070BNTCL
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
확장 설명 N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
기술 NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Tc)

기타

표준 포장 3,000
다른 이름들 RQ5E070BNTCLTR

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- 텔레 다인 르크로이 (Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 프로토콜 분석기 및 관련 테스트 및 측정 솔루션을 제공하는 선도적 인 공급 업체로 다양한 산업 분야의 기업들이 모든 유형의 전자 장치를 설계 및 테스트 할 수 있도록 지원합니다. 1964 년 창립 이래로 엔지니어는 설계 문제를보다 빠르고 효과적으로 해결할 수 있도록 도움으로써 생산성을 향상시키는 제품을 개발하는 데 주력해 왔습니다.

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