RJU002N06T106

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RJU002N06T106

EXSHINE 제품 모델:EX-RJU002N06T106
제조사 제품 모델:RJU002N06T106
제조사 / 상표:LAPIS Semiconductor
간단한 설명:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
무연 여부 / RoHS 준수 여부:무연 / RoHS 준수
조건:New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:RJU002N06 Datasheet
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RJU002N06T106
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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 1mA
Vgs (최대) ±12V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 UMT3
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
전력 소비 (최대) 200mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
다른 이름들 RJU002N06T106TR
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 RJU002N06T106
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
확장 설명 N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
기술 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta)

기타

표준 포장 3,000
다른 이름들 RJU002N06T106TR

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- 텔레 다인 르크로이 (Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 프로토콜 분석기 및 관련 테스트 및 측정 솔루션을 제공하는 선도적 인 공급 업체로 다양한 산업 분야의 기업들이 모든 유형의 전자 장치를 설계 및 테스트 할 수 있도록 지원합니다. 1964 년 창립 이래로 엔지니어는 설계 문제를보다 빠르고 효과적으로 해결할 수 있도록 도움으로써 생산성을 향상시키는 제품을 개발하는 데 주력해 왔습니다.

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