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RF4E100AJTCR
| EXSHINE 제품 모델: | EX-RF4E100AJTCR |
|---|---|
| 제조사 제품 모델: | RF4E100AJTCR |
| 제조사 / 상표: | LAPIS Semiconductor |
| 간단한 설명: | NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| 조건: | 1 |
| 데이터 시트 다운로드: | RF4E100AJ |
| 신청: | - |
| 무게: | - |
| 대체 교체: | - |
의 실시간 가용성
RF4E100AJTCR
재고: 49529000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주
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- 기술
- 지불
- 배송
- 포장
제품 매개 변수
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (최대) | ±12V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | HUML2020L8 |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12.4 Ohm @ 10A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 2W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 다른 이름들 | RF4E100AJTCRTR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | RF4E100AJTCR |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1460pF @ 15V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 확장 설명 | N-Channel 30V 10A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
| 기술 | NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) |
기타
| 표준 포장 | 3,000 |
|---|---|
| 다른 이름들 | RF4E100AJTCRTR |
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페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
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EMS 익스프레스 배달 시간 : 7-10 일. |
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Rohm Semiconductor의 배급 자
- 텔레 다인 르크로이 (Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 프로토콜 분석기 및 관련 테스트 및 측정 솔루션을 제공하는 선도적 인 공급 업체로 다양한 산업 분야의 기업들이 모든 유형의 전자 장치를 설계 및 테스트 할 수 있도록 지원합니다. 1964 년 창립 이래로 엔지니어는 설계 문제를보다 빠르고 효과적으로 해결할 수 있도록 도움으로써 생산성을 향상시키는 제품을 개발하는 데 주력해 왔습니다.