EM6M2T2R

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EM6M2T2R

EXSHINE 제품 모델:EX-EM6M2T2R
제조사 제품 모델:EM6M2T2R
제조사 / 상표:LAPIS Semiconductor
간단한 설명:MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부:무연 / RoHS 준수
조건:1
데이터 시트 다운로드:EM6M2
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대체 교체:-
의 실시간 가용성
EM6M2T2R
재고: 16312000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 1mA
제조업체 장치 패키지 EMT6
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1 Ohm @ 200mA, 4V
전력 - 최대 150mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
다른 이름들 EM6M2T2R-ND
EM6M2T2RTR
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks
제조업체 부품 번호 EM6M2T2R
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
FET 유형 N and P-Channel
FET 특징 Logic Level Gate
확장 설명 Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
기술 MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA

기타

표준 포장 8,000
다른 이름들 EM6M2T2R-ND

EM6M2T2RTR

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Rohm Semiconductor의 배급 자

- 텔레 다인 르크로이 (Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 프로토콜 분석기 및 관련 테스트 및 측정 솔루션을 제공하는 선도적 인 공급 업체로 다양한 산업 분야의 기업들이 모든 유형의 전자 장치를 설계 및 테스트 할 수 있도록 지원합니다. 1964 년 창립 이래로 엔지니어는 설계 문제를보다 빠르고 효과적으로 해결할 수 있도록 도움으로써 생산성을 향상시키는 제품을 개발하는 데 주력해 왔습니다.

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