1N4007B-G

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1N4007B-G

EXSHINE 제품 모델:EX-1N4007B-G
제조사 제품 모델:1N4007B-G
제조사 / 상표:Comchip Technology
간단한 설명:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
무연 여부 / RoHS 준수 여부:무연 / RoHS 준수
조건:New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:1N4001-07G Datasheet
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1N4007B-G
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미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
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제품 매개 변수

전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 1.1V @ 1A
전압 - 역방향 (Vr) (최대) 1000V (1kV)
제조업체 장치 패키지 DO-41
속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속 -
포장 Bulk
패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial
작동 온도 - 정션 -55°C ~ 150°C
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 1N4007B-G
확장 설명 Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-41
다이오드 유형 Standard
기술 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
전류 - 누설 Vr에서 역방향 5µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io) 1A
VR, F @ 용량 15pF @ 4V, 1MHz

기타

표준 포장 1,000

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 EMS 익스프레스
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Comchip Technology의 배급 자

- CT - Concept Technologie AG (CONCEPT라고도 함)는 2012 년 Power Integrations에서 인수했습니다. CONCEPT는 고전압 IGBT 모듈 용 고집적, 에너지 효율적인 드라이버의 개발 업체였습니다. 이 모듈은 산업용 모터 드라이브, 재생 가능 에너지 생성, 전차 및 트램, 고전압 직류 전동기, 전기 자동차 및 의료 장비를 포함한 다양한 고전압 전력 변환 애플리케이션에 사용됩니다.
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