CTLDM3590 TR-Central Semiconductor Corp-CTLDM3590 TR 구매-EXSHINE TECHNOLOGY

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CTLDM3590 TR

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CTLDM3590 TR
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미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

아이디 @ VGS (일) (최대)	1V @ 250µA
Vgs (최대)	8V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TLM3D6D8
연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
전력 소비 (최대)	125mW (Ta)
포장	Original-Reel®
패키지 / 케이스	3-XFDFN
다른 이름들	CTLDM3590 DKR
작동 온도	-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호	CTLDM3590 TR
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	9pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	0.46nC @ 4.5V
FET 유형	N-Channel
FET 특징	-
확장 설명	N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.2V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	20V
기술	MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	160mA (Ta)

표준 포장	1
다른 이름들	CTLDM3590 DKR

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