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ALD210808APCL
| EXSHINE 제품 모델: | EX-ALD210808APCL |
|---|---|
| 제조사 제품 모델: | ALD210808APCL |
| 제조사 / 상표: | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 간단한 설명: | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| 조건: | New and unused, Original |
| 데이터 시트 다운로드: | ALD210808/A |
| 신청: | - |
| 무게: | - |
| 대체 교체: | - |
의 실시간 가용성
ALD210808APCL
재고: 44000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주
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- 기술
- 지불
- 배송
- 포장
제품 매개 변수
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 20mV @ 10µA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지 | 16-PDIP |
| 연속 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | ALD210808APCL |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET 특징 | Logic Level Gate |
| 확장 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 16-PDIP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 10.6V |
| 기술 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |
기타
| 표준 포장 | 50 |
|---|
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T / T (은행 송금) 받기 : 1-4 일. |
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페이팔 수신 : 즉시. |
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웨스턴 유니언 받기 : 1-2 시간. |
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알리 페이 수신 : 즉시. |
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페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
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UPS Express 배달 시간 : 2-4 일. |
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EMS 익스프레스 배달 시간 : 7-10 일. |
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Advanced Linear Devices Inc.의 배급 자
- Advanced Linear Devices, Inc. (ALD)는 초 저전력, 정밀 CMOS 아날로그 집적 회로, 관련 보드 레벨 제품 및 Energy Harvesting Module 및이 회사 고유의 EPAD® 기술을 통합 한 액세서리를 개발 및 제조합니다. ALD의 표준 반도체 제품에는 "최고 수준"의 초 저전압 주입 저전압 아날로그 스위치, 듀얼 슬로프 A / D 컨버터 및 디지털 프로세서, 정밀 전압 비교기, 정밀 레일 - 레일 (rail-to-rail) CMOS 연산 증폭기 및 높은 방전 출력을 갖는 저 드리프트 CMOS 타이머뿐만 아니라 확장, 고갈 및 제로 스레숄드 모드 EPAD 정합 소형 신호 MOSFET 어레이의 광범위한 선택을 제공한다.