SI4825DY-T1-GE3

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SI4825DY-T1-GE3

EXSHINE 제품 모델:EX-SI4825DY-T1-GE3
제조사 제품 모델:SI4825DY-T1-GE3
제조사 / 상표:Vishay / Siliconix
간단한 설명:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:무연 / RoHS 준수
조건:New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:Si4825DY
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SI4825DY-T1-GE3
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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-SO
연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 14 mOhm @ 11.5A, 10V
전력 소비 (최대) 1.5W (Ta)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 SI4825DY-T1-GE3TR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 SI4825DY-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 71nC @ 10V
FET 유형 P-Channel
FET 특징 -
확장 설명 P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
기술 MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.1A (Ta)

기타

표준 포장 2,500
다른 이름들 SI4825DY-T1-GE3TR

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