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HN1C01FE-GR,LF

EXSHINE 제품 모델:	EX-HN1C01FE-GR,LF
제조사 제품 모델:	HN1C01FE-GR,LF
제조사 / 상표:	Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명:	TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	무연 / RoHS 준수
조건:	New and unused, Original
데이터 시트 다운로드:	HN1C01FE
신청:	-
무게:	-
대체 교체:	-

의 실시간 가용성

HN1C01FE-GR,LF
재고: 19129000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주

기술
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제품 매개 변수

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	250mV @ 10mA, 100mA
트랜지스터 유형	2 NPN (Dual)
제조업체 장치 패키지	ES6
연속	-
전력 - 최대	100mW
포장	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스	SOT-563, SOT-666
다른 이름들	HN1C01FE-GR (5L,F,T HN1C01FE-GR(5L,F,T HN1C01FE-GR(5LFTTR HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND HN1C01FE-GR,LF(B HN1C01FE-GR,LF(T HN1C01FE-GRLFTR
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	16 Weeks
제조업체 부품 번호	HN1C01FE-GR,LF
주파수 - 전환	80MHz
확장 설명	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
기술	TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	200 @ 2mA, 6V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	150mA

기타

다른 이름들	HN1C01FE-GR (5L,F,T HN1C01FE-GR(5L,F,T HN1C01FE-GR(5LFTTR HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND HN1C01FE-GR,LF(B HN1C01FE-GR,LF(T HN1C01FE-GRLFTR
표준 포장	4,000

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Toshiba Semiconductor and Storage의 배급 자

Touchstone Semiconductor 사는 전자 회사의 중요한 문제를 해결하는 고성능 아날로그 집적 회로 (IC) 솔루션을 제작합니다. 당사의 독점 제품은 아날로그 시장의 다른 곳에서는 볼 수없는 독특한 기능과 성능을 제공합니다. 우리의 두 번째 소스 제품은 핀 호환이 가능하며 경쟁력있는 제품과 동일한 사양으로, 보안이 어려운 단독 소싱 제품에 이상적인 대안을 제공합니다. 2010 년 설립 된 Touchstone은 캘리포니아 주 밀피 타스에 본사가 있으며, 투자자는 Opus Capital 및 Khosla Ventures를 포함합니다.
Touchstone Semiconductor의 사명은 고객의 문제를 해결하는 데 도움이되는 차가운 고성능 아날로그 IC를 설계하는 것입니다. 우리는 제품의 전력 소비를 줄이는 초 저전력 고성능 아날로그 IC를 개발함으로써이 작업을 수행합니다.

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