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SI3585CDV-T1-GE3
| EXSHINE 제품 모델: | EX-SI3585CDV-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 제품 모델: | SI3585CDV-T1-GE3 |
| 제조사 / 상표: | Vishay / Siliconix |
| 간단한 설명: | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| 조건: | New and unused, Original |
| 데이터 시트 다운로드: | SI3585CDV-T1-GE3 |
| 신청: | - |
| 무게: | - |
| 대체 교체: | - |
의 실시간 가용성
SI3585CDV-T1-GE3
재고: 48797000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주
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- 기술
- 지불
- 배송
- 포장
제품 매개 변수
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP |
| 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 전력 - 최대 | 1.4W, 1.3W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 다른 이름들 | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 24 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | SI3585CDV-T1-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 특징 | Logic Level Gate |
| 확장 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.9A, 2.1A |
기타
| 표준 포장 | 3,000 |
|---|---|
| 다른 이름들 | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
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웨스턴 유니언 받기 : 1-2 시간. |
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페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
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UPS Express 배달 시간 : 2-4 일. |
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TNT 익스프레스 배달 시간 : 3-6 일. |
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EMS 익스프레스 배달 시간 : 7-10 일. |
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Vishay Siliconix의 배급 자
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