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HN1C01FU-Y(T5L,F,T
| EXSHINE 제품 모델: | EX-HN1C01FU-Y(T5L,F,T |
|---|---|
| 제조사 제품 모델: | HN1C01FU-Y(T5L,F,T |
| 제조사 / 상표: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 간단한 설명: | TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| 조건: | New and unused, Original |
| 데이터 시트 다운로드: | HN1C01FU |
| 신청: | - |
| 무게: | - |
| 대체 교체: | - |
의 실시간 가용성
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
재고: 79844000 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주
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- 기술
- 지불
- 배송
- 포장
제품 매개 변수
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
|---|---|
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) |
| 제조업체 장치 패키지 | US6 |
| 연속 | - |
| 전력 - 최대 | 200mW |
| 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 다른 이름들 | HN1C01FU-Y(T5LFTCT |
| 작동 온도 | 125°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | HN1C01FU-Y(T5L,F,T |
| 주파수 - 전환 | 80MHz |
| 확장 설명 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
| 기술 | TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 120 @ 2mA, 6V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 150mA |
기타
| 다른 이름들 | HN1C01FU-Y(T5LFTCT |
|---|---|
| 표준 포장 | 1 |
아래 결제 옵션을 선택할 수 있습니다. 궁금한 점이 있으면 영업 팀에 문의하십시오.
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T / T (은행 송금) 받기 : 1-4 일. |
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페이팔 수신 : 즉시. |
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웨스턴 유니언 받기 : 1-2 시간. |
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돈 그램 받기 : 1-2 시간. |
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알리 페이 수신 : 즉시. |
아래 배송 옵션을 선택할 수 있으며 영업 팀에 문의하여 주소로 배송 비용을 확인하십시오.
배송 서비스를 사용하지 않으려면 창고에서 배송을 받거나 택배로 배송 할 수도 있습니다.
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DHL 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
 |
페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
 |
UPS Express 배달 시간 : 2-4 일. |
 |
TNT 익스프레스 배달 시간 : 3-6 일. |
 |
EMS 익스프레스 배달 시간 : 7-10 일. |
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Toshiba Semiconductor and Storage의 배급 자
Touchstone Semiconductor 사는 전자 회사의 중요한 문제를 해결하는 고성능 아날로그 집적 회로 (IC) 솔루션을 제작합니다. 당사의 독점 제품은 아날로그 시장의 다른 곳에서는 볼 수없는 독특한 기능과 성능을 제공합니다. 우리의 두 번째 소스 제품은 핀 호환이 가능하며 경쟁력있는 제품과 동일한 사양으로, 보안이 어려운 단독 소싱 제품에 이상적인 대안을 제공합니다. 2010 년 설립 된 Touchstone은 캘리포니아 주 밀피 타스에 본사가 있으며, 투자자는 Opus Capital 및 Khosla Ventures를 포함합니다.
Touchstone Semiconductor의 사명은 고객의 문제를 해결하는 데 도움이되는 차가운 고성능 아날로그 IC를 설계하는 것입니다. 우리는 제품의 전력 소비를 줄이는 초 저전력 고성능 아날로그 IC를 개발함으로써이 작업을 수행합니다.