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APTM120A65FT1G
| EXSHINE 제품 모델: | EX-APTM120A65FT1G |
|---|---|
| 제조사 제품 모델: | APTM120A65FT1G |
| 제조사 / 상표: | Microsemi |
| 간단한 설명: | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| 조건: | New and unused, Original |
| 데이터 시트 다운로드: | APTM120A65FT1GPower Products Catalog |
| 신청: | - |
| 무게: | - |
| 대체 교체: | - |
의 실시간 가용성
APTM120A65FT1G
재고: 86360 PC는 1-2 일 안에 배송 할 수 있습니다.
미래 재고 : 7-10 일 안에 12000 PC.
제조업체 리드 타임 : 8-10 주
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- 기술
- 지불
- 배송
- 포장
제품 매개 변수
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지 | SP1 |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 780 mOhm @ 14A, 10V |
| 전력 - 최대 | 390W |
| 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 22 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | APTM120A65FT1G |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7736pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 특징 | Standard |
| 확장 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A |
기타
| 표준 포장 | 1 |
|---|
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페덱스 익스프레스 배달 시간 : 1-3 일. |
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